电力（e）处于弯曲状态的LCP（厚度为50μm）层支撑的柔性Si-NM集成电路（RFIC）的照片。
行业(d)由D3d单层按不同方式堆砌而成的三种硒化铟新相的声子谱图。图三、国产硒化铟新相的电子结构：国产对比了三种硒化铟新相的带隙值随层数的变化，发现其中的δ(D3d)相具有高达1.5eV的宽带隙变化范围，显著宽于其它结构（1.2~1.3eV）。
总结与展望综上所述，争优著作者利用结合人工智能粒子群优化算法与第一性原理计算的全局材料结构搜索，争优著从理论上设计出一类由新型单层结构构成的二维半导体硒化铟新相。结合人工智能粒子群优化算法与第一性原理计算，势显设计的硒化铟新相由D3d单层构成，D3d单层与已知D3h单层截然不同，具有中心反演对称性。电力(b)(D3d)相和γ(D3h)相的拉曼光谱图对比。
图四、行业硒化铟新相的电子迁移率：利用基于有效质量近似和形变势方法计算得到的新相电子迁移率也均高于同等厚度下的已知相。国产(a)D3d单层和D3h单层结构的轨道投影能带图。
图五、争优著硒化铟新相的实验鉴别：争优著X射线衍射法可以有效地区分大部分物相，而其中无法区分的(D3d)相和γ(D3h)相可通过拉曼光谱（150~200cm-1区间存在差异）进行鉴别。
背景介绍作为重要的二维半导体材料，势显硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，势显及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。毕竟母猫发情时受孕的几率是很高的，电力如果检查出有宝宝，主人就要做好相关的孕期照顾，以及准备好待产的用品，迎接猫宝宝的到来。
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